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瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1A晶振

頻率：16.000MHz~70.000MHz

尺寸：3.5*2.2*0.9mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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微晶在瑞士、泰國建有貼片晶振生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。就原則而言，以下內(nèi)容被認(rèn)為是MC供應(yīng)的一部分鏈，即電子制造服務(wù)（EMS）公司和原始設(shè)計(jì)制造商（ODM）包括承包勞動，設(shè)計(jì)，市場，生產(chǎn)和/或提供用于生產(chǎn)MC電子產(chǎn)品的貨物和服務(wù)。陶瓷面封裝四腳SMD晶振,16M貼片石英晶體,CC6A-T1A晶振
這個(gè)原則將積極推廣到MC供應(yīng)鏈中的關(guān)鍵供應(yīng)商。隨后由該供應(yīng)商應(yīng)用于其供應(yīng)鏈和分包商。為通過這些原則，并成為參與者（參與者），企業(yè)應(yīng)聲明其對原則的支持，并應(yīng)遵循其原則和標(biāo)準(zhǔn)有原則規(guī)定的管理制度。
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瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1A晶振.產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品.
微晶壓電石英晶振主要是利用石英材料（水晶）的壓電效應(yīng)制成的電子原件和器件，石英晶體壓電效應(yīng)是一種機(jī)電能量互換的現(xiàn)象，壓電效應(yīng)分為正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)，正壓電效應(yīng)是以機(jī)械應(yīng)力及，應(yīng)變（形變）作用而使物體產(chǎn)生電荷或電壓輸出。陶瓷面封裝四腳SMD晶振,16M貼片石英晶體,CC6A-T1A晶振

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微晶晶振	單位	CC6A-T1A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	16.000MHZ~70.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100/250μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.tj-xyd.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1A晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英水晶振動子性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。陶瓷面封裝四腳SMD晶振,16M貼片石英晶體,CC6A-T1A晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞進(jìn)口晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。
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RB-5 設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示陶瓷面四腳貼片晶振的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加3522貼片晶振振蕩啟動時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致耐高溫晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC6A-T1A晶振

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